|
Информация о Группе Компаний "Нитридные Кристаллы"
Группа компаний «Нитридные кристаллы» была создана в 2007 году путем объединения уже действующих компаний и создания новых предприятий.
Целью создания группы компаний является коммерциализация технологических заделов, разработанных в исследовательских институтах и предприятиях, таких как ИКРАН, ГИРЕДМЕТ, ФТИ им Иоффе, ООО «Нитридные Кристаллы» и т.д.
Группа компаний участвует в выполнении ряда исследовательских программ по разработке технологии производства подложек и темплейтов на основе сапфира, карбида кремния, нитрида алюминия и нитрида галлия.
Государственная поддержка:
В 2003 г. ООО «Нитридные кристаллы» являлись одним из соисполнителей работ в рамках инновационного проекта государственного значения по теме: “Развитие промышленности синтетических кристаллов-диэлектриков и изделий из них”.
Цель проекта - разработка технологии промышленного производства высококачественных двухдюймовых объемных кристаллов нитрида алюминия (AlN), постановка на серийное производство и выход на отечественный и зарубежный рынок полупроводниковых кристаллов.
В 2003-2004 гг. ООО «Нитридные кристаллы» выиграло ряд инновационных проектов на разработку технологии и создание производства монокристаллических подложек нитрида алюминия диаметром от 0.5 до 2 дюймов (2 гранта Фонда содействия развитию малых форм предприятий научно-технической сфере, грант Американского фонда гражданских исследований и развития CRDF по программе «Следующие шаги к рынку», государственный контракт на проведение НИОКР).
В 2005 г. ООО «Нитридные кристаллы» выиграло 2 инновационных проекта по программе «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники» Министерства образования и науки РФ. Один из этих проектов направлен на создание производства нитрид-галлиевых подложек для нужд оптоэлектроники. Во втором проекте компания являлась соисполнителем работ (головной исполнитель - завод ОАО «Электровыпрямитель», г. Саранск) и отвечала за создание производства карбид-кремниевых подложек для нужд силовой электроники.
В 2005 -2006 гг. ООО «Галлий-Н» выполняло НИОКР по договору с Фондом содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере по теме «Разработка технологических процессов и оборудования для выращивания объемных GaN-кристаллов сублимационным методом для изготовления гомоэпитаксиальных подложек».
В 2007 г. ООО «Полупроводниковые кристаллы» выиграло конкурс на право заключения государственного контракта с Федеральным агентством по науке и инновациям по теме «Разработка конкурентоспособных технологий и создание опытно-промышленного производства подложек лейкосапфира, карбида кремния и нитрида галлия для широкого класса приборов оптоэлектроники и электроники».
|
